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IPD80R1K4CE 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

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IPD80R1K4CE 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册

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MOSFET

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

CoolMOS™CE

800VCoolMOS™CEPowerTransistor

IPx80R1K4CE

DataSheet

Rev.2.2

Final

PowerManagement&Multimarket

800VCoolMOS™CEPowerTransistor

IPD80R1K4CE,IPU80R1K4CE

Rev.2.2,2016-04-12Final Data Sheet

tab

DPAK

tab

IPAK

Drain

Pin 2

Gate

Pin 1

Source

Pin 3

1Description

CoolMOS™CEisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower

MOSFETs.Thehighvoltagecapabilitycombinessafetywithperformance

andruggednesstoallowstabledesignsathighestefficiencylevel.

CoolMOS™800VCEcomeswithaselectedpackagechoiceofferingthe

benefitofreducedsystemcostsandhigherpowerdensitydesigns.

Features

1)



•Highvoltagetechnology

•Extremedv/dtrated

•Highpeakcurrentcapability

•Lowgatecharge

•Loweffectivecapacitances

•QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20

andJESD22)

•Pb-freeleadplating;RoHScompliant; halogenfreemoldcompound

Benefits

•Increasedpowerdensitysolutionsduetosmallerpackage

•Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements

•Highersystemreliabilityduetolowoperatingtemperatures

Applications

•LEDLightingforretrofitapplicationsinQRFlybacktopology

Table1KeyPerformanceParameters

Parameter Value Unit

@ T

j=25°C

800 V

DS(on),max

1.4 Ω

g,typ

23 nC

D,pulse

12 A

GS(th),typ

3 V

O(tr),typ

51 pF

Type/OrderingCode Package Marking RelatedLinks

IPD80R1K4CE PG-TO 252

IPU80R1K4CE PG-TO 251

8R1K4CE see Appendix A

800VCoolMOS™CEPowerTransistor

IPD80R1K4CE,IPU80R1K4CE

Rev.2.2,2016-04-12Final Data Sheet

TableofContents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Test Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Appendix A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

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