IPD65R1K4C6 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPD65R1K4C6是一款基于超级结（Superjunction）技术的CoolMOS™ C6系列高压功率MOSFET，专为工业及多市场应用设计。这款芯片采用了革命性的CoolMOS™技术，旨在提供高速开关性能的同时，确保易于使用和驱动。 CoolMOS™ C6系列集成了英飞凌作为全球领先超级结MOSFET供应商的经验与创新，使得该器件在保持易用性的同时，具备极低的开关和传导损耗。这使得采用该芯片的开关应用能实现更高的效率、更紧凑的尺寸、更轻的重量以及更低的发热量。 关键特性包括： 1. 极低的损耗：由于非常低的FOM（Figure of Merit）参数Rdson*Qg和Eoss，使得整体功耗显著降低。 2. 高级的耐受能力：在切换过程中具有很强的抗冲击能力，确保了高可靠性。 3. 易于使用和驱动：设计上简化了驱动电路，降低了用户在应用中的复杂度。 4. 环保：采用无铅电镀和无卤素封装材料，符合环保标准。 5. 工业级应用认证：根据JEDEC（J-STD-20和JESD22）标准进行资格认证，适用于各种严苛环境的应用。 这款MOSFET适用于硬开关PWM（脉宽调制）阶段和谐振开关PWM阶段，如PC电源适配器、LCD和PDP电视、照明设备等。其主要规格参数如下： - 最大漏源电压（VDS @ Tj max）：700V - 最大导通电阻（RDS(on),max）：1.4Ω - 门极电荷（Qg,typ）：10.5nC - 体二极管脉冲电荷（CID,pulse）：8.3A - 体二极管反向恢复电荷（Eoss @ 400V）：1.15μJ - 体二极管反向电流斜率（di/dt）：500A/μs 封装类型为PG-TO 25265，标记代码为C61K4。此外，该芯片还提供了详细的规格书，包含技术参数、电气特性、热特性、机械数据等多个方面的内容，方便设计者在实际应用中进行参考。 总体来说，IPD65R1K4C6是英飞凌针对高效能、高可靠性和环保要求的电力转换应用而设计的一款先进功率MOSFET，它的高性能特性和易于集成的特性使其成为许多工业和消费电子产品的理想选择。