IPP80R900P7 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf
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英飞凌的IPP80R900P7是一款基于超级结技术的800V CoolMOS P7功率晶体管,专为工业应用、LED照明、低功率充电器、适配器、音频设备、辅助电源及消费者应用中的功率因数校正(PFC)阶段设计。这款芯片在2018年2月8日发布了最终数据表,型号为PG-TO 220封装。 关键性能参数包括: 1. **最大漏源电压(VDS)**:在环境温度Tj = 25°C时,最大漏源电压为800V,这表明该器件能够在高压环境下稳定工作。 2. **最大漏极饱和电阻(RDS(on))**:最大RDS(on)为0.90欧姆,这是衡量MOSFET导通电阻的重要指标,数值较低意味着更低的功耗和更高的效率。 3. **门极电荷(Qg)**:典型值为15nC,低门极电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损耗。 4. **输入电容(Ciss)**:未直接给出,但通常与开关速度和驱动电路设计相关。 5. **栅极阈值电压(VGS(th))**:典型值为3V,且阈值电压变化范围非常小,仅为±0.5V,这意味着更稳定的开关特性。 6. **体二极管反向恢复电荷(Eoss)**:在500V时为1.4μJ,低反向恢复电荷有助于减少开关过程中的能量损失。 7. **人体模型静电放电(ESD)等级**:符合2型标准,提供有效的ESD保护,降低生产过程中因静电导致的损坏风险。 IPP80R900P7的优势在于其最佳的功率密度、成本效益和易用性。由于采用了英飞凌超过18年的超级结技术创新,这款产品具有以下特点: - **最佳的FOM RDS(on) * Eoss**:这表示在功耗和开关性能之间找到了极好的平衡。 - **最佳的DPAK RDS(on)**:表明在紧凑的封装下仍能实现优秀的导通电阻性能。 - **最小的VGS(th)变化**:确保了更一致的开关行为,简化了设计过程。 - **内置齐纳二极管ESD保护**:增强了芯片的防护能力,减少生产中的故障率。 - **符合JEDEC工业应用的全面资格认证**:保证了在各种严苛环境下的可靠性。 - **优化的产品组合**:方便设计师根据具体需求选择合适的部件。 平行使用MOSFET时,推荐使用门极上的铁氧体磁珠或分离的对称驱动结构,以提高稳定性并避免潜在的问题。表格1列出了更多关键性能参数,如温度范围、电流额定值等,这些参数对于理解和设计使用IPP80R900P7的电路至关重要。 总的来说,英飞凌的IPP80R900P7芯片以其卓越的性能、低功耗和出色的ESD保护,为电源转换系统设计提供了理想的解决方案,尤其适合高效率、高功率密度的应用。在设计时,考虑这些特点和优势将有助于优化电路性能,降低成本,并提高产品的可靠性。
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