SPW35N60C3 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的SPW35N60C3是一款基于CoolMOS™技术的高压功率晶体管，专门设计用于高效能电源转换和开关应用。这款芯片具有多项显著的技术特点： 1. 革新的高电压技术：SPW35N60C3采用了英飞凌的最新高压技术，确保了在高电压环境下的稳定工作性能。 2. 超低栅极电荷：超低的栅极电荷使得该芯片在开关操作时，所需的驱动电流小，从而降低了开关损耗，提高了转换效率。 3. 定期雪崩评级：芯片可以承受周期性的雪崩电流，这意味着它能够在过载条件下工作而不受损，增加了系统的耐受性和可靠性。 4. 极端dv/dt评级：芯片能够承受极端的漏源电压变化率（dv/dt），这使得它在快速开关应用中表现出色，减少了潜在的电磁干扰问题。 5. 超低有效电容：低电容特性减少了开关过程中的能量损失，同时提升了开关速度。 6. 改进的跨导：更高的跨导意味着对栅极电压的微小变化能产生更大的漏源电流变化，从而提供了更精确的控制。 根据规格书，SPW35N60C3的主要参数包括： - 连续漏极电流（I_DTC）在25°C和100°C下分别为34.6 A和21.9 A。 - 脉冲漏极电流（I_D,pulse）在25°C下，单脉冲雪崩能量（E_AS）为17.3 A和50 V时为1500 mJ。 - 反复雪崩能量（E_AR）在特定条件下可达到1500 mJ至34.6 A和50 V。 - 最大漏源电压斜坡（dv/dt）在I_D=34.6 A，V_DS=480 V，T_j=125°C时为15 V/ns。 - 栅源电压（V_GS）静态和交流（f>1 Hz）的最大值为50 V。 - 功耗（P_tot）在25°C下为650 W。 - 操作和储存温度范围为-55°C至150°C。 此外，SPW35N60C3封装为PG-TO247，订购代码为Q67040-S4673。其热特性包括结壳热阻（R_thJC）和结空气热阻（R_thJA），分别约为0.4 K/W和62 K/W。电气特性方面，漏源击穿电压（V(BR)DSS）在V GS=0 V，I_D=250 µA时为600 V，而栅极阈值电压（V GS(th)）在V DS=V GS，I_D=1.9 mA时为2.1 V到3.9 V。 SPW35N60C3是一款高性能的高压功率晶体管，适用于需要高速开关和高耐压能力的应用，如电源管理、电机驱动和逆变器系统。其出色的电气和热性能使得它在工业和消费电子领域具有广泛的应用前景。