IPZ60R099P6 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPZ60R099P6是一款基于超级结（Superjunction）技术设计的CoolMOS™ P6系列高压功率MOSFET。这款芯片在高电压MOSFET领域具有革命性的意义，它融合了领先的超级结MOSFET供应商的经验与创新。IPZ60R099P6的主要特点是其优秀的开关特性和低损耗性能，使得在开关应用中能实现更高的效率、更紧凑的尺寸、更轻的重量以及更低的温升。 该芯片的关键特性包括： 1. 增强的MOSFET dv/dt耐受性：这意味着芯片能够承受更快的电压变化速率，降低了在高速开关过程中损坏的风险。 2. 极低的损耗：非常低的FOM（ Figures of Merit）参数如Rdson*Qg和Eoss，确保了在开关和传导过程中的能量损失极小。 3. 高度的关断耐受性：能够承受极端的开关条件，提高了整体系统的稳定性。 4. 一流的RDS(on)/封装比：意味着在相同封装下，其漏源导通电阻非常低，从而在导通状态下损耗更少。 5. 驱动源引脚设计：为更好的栅极控制提供了便利，使芯片易于驱动和使用。 6. 环保材料：采用无铅电镀和无卤素封装化合物，符合工业级应用的JEDEC标准。 7. 4引脚Kelvin源概念：提升了并联应用的稳定性。 IPZ60R099P6适用于各种电源转换场景，如功率因数校正（PFC）阶段、硬开关PWM（脉宽调制）阶段和谐振开关阶段，常见于计算设备、服务器、电信设备和不间断电源（UPS）等领域。 值得注意的是，当多个MOSFET并联使用时，通常建议在栅极上使用铁氧体珠或单独的对称门极结构，以避免不一致的开关行为和潜在的热问题。 规格书中还包含了关键性能参数，例如最大工作电压VDS（@Tj,max）为650V，最大漏源导通电阻RDS(on)，max为99mΩ，典型栅极电荷Qg为70nC，脉冲电感ID,pulse为109A，体二极管的di/dt为250A/μs，以及400V时的电容Eoss为8.8μJ等。 IPZ60R099P6是一款高性能、高效率且易于集成的功率MOSFET，特别适合需要高效能、小型化和低能耗的电源转换系统。