IPZ40N04S58R4ATMA1 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

英飞凌的IPZ40N04S58R4ATMA1是一款专为汽车应用设计的OptiMOS™-5功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款芯片具备增强模式的正常级N沟道特性，并通过了AEC Q101质量认证，适用于严苛的汽车环境。它符合RoHS标准，是一款绿色环保产品，能够承受高达260°C的峰值回流温度，并能在-55°C到+175°C的宽温范围内稳定工作。 在电气参数方面，这款MOSFET在Tj = 25°C、VGS = 10V时的最大连续漏极电流IDT为40A，而在Tj = 100°C、VGS = 10V时，该值下降到33A。脉冲漏极电流I_D,pulse在Tj = 25°C时可达到160A，而单脉冲雪崩能量EAS在I_D = 20A时为24mJ，单脉冲雪崩电流I_AS的最大值为-40A。门极源极电压VGS的额定范围是-20V到+20V，最大功率耗散Ptot在Tj = 25°C时为34W。 热特性方面，结壳热阻RthJC未给出具体数值，但通常表示的是从芯片内部到外壳的热量传递效率。结温至环境的热阻RthJA在6cm²冷却面积下未提供具体数值，但它是评估芯片散热能力的关键参数。对于汽车应用而言，良好的散热性能至关重要。 在静态特性上，漏源击穿电压V(BR)DSS在VGS = 0V、ID = 1mA时为40V。门阈值电压VGS(th)在VDS = VGS、ID = 10μA时的范围是2.2V到3.4V。零门极电压漏极电流IDSS在VDS = 40V、VGS = 0V、Tj = 25°C时小于或等于1μA，在125°C时则不超过100nA。漏源导通电阻RDS(on)在VGS = 7V、ID = 20A时的典型值为9.9mΩ，在VGS = 10V、ID = 20A时的典型值为8.4mΩ。 动态特性方面，输入电容Ciss、输出电容Coss和反向传输电容Crss分别在580pF到771pF、162pF到215pF和112pF到20pF之间。开关时间如t_d(on)、t_r、t_d(off)和t_f等都在ns级别，而栅极电荷Qgs、Qgd和总栅极电荷Qg则分别在2.8nC到3.7nC、2.4nC到3.6nC和10.3nC到13.7nC之间。门极平台电压V_plateau在4.9V左右。 此外，IPZ40N04S58R4ATMA1还集成了反向二极管，其连续正向电流I_S可达到40A，可提供脉冲电流支持。 这款MOSFET因其高效率、强耐温和低RDS(on)等特性，适用于汽车电子系统中的电源管理、电机控制、电池管理系统等领域，能够确保在恶劣环境下保持可靠的工作性能。