IPA057N08N3 G INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf
英飞凌的IPA057N08N3 G是一款基于OptiMOS™ 3技术的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高频开关和同步整流应用而设计。这款芯片适用于DC/DC转换器,具有优化的技术特性,确保在电源管理及多市场领域中的高效性能。 该器件的最大特点之一是其优秀的门极电荷乘以漏源导通电阻(FOM)产品,这代表了在高速开关操作时的低损耗。N沟道设计允许电流从源极流向漏极,适合在电源路径中作为开关元件。芯片经过100%雪崩测试,确保其在过载条件下的可靠性,并且采用无铅电镀,符合RoHS标准,适用于环保要求严格的项目。 IPA057N08N3 G的主要参数包括:在25°C时的连续漏极电流为60A,100°C时则降低至43A;脉冲漏极电流在25°C时可达到240A;单脉冲雪崩能量EAS,在I_D=60A、R_GS=25Ω时为290mJ;门极源极电压范围为±20V;最大功率耗散在25°C时为39W;工作和储存温度范围为-55°C到175°C,符合IEC气候类别55/175/56的要求,能在高温环境下稳定工作。 热特性方面,芯片的结-壳热阻R_thJC为3.8K/W,这意味着在标准TO-220封装下,芯片能够在高热条件下有效散热。静态特性包括:漏源击穿电压在V_GS=0V,I_D=1mA时为80V;门极阈值电压在V_DS=V_GS,I_D=90μA时为22.8至3.5V;零门极电压漏极电流在V_DS=80V,V_GS=0V,T_j=25°C时小于0.11μA;漏源开态电阻在V_GS=10V,I_D=60A时为4.9至5.7mΩ,V_GS=6V,I_D=30A时为6.3至9.9mΩ;门极电阻约为2.2Ω,以及转换增益g_fs等。 IPA057N08N3 G是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,适用于需要高效能、低损耗的电源管理应用,如DC/DC转换器、同步整流器以及其他功率转换和控制电路。其良好的热管理和电气特性确保了在各种工作环境下的稳定运行。
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