IMZ120R350M1H INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IMZ120R350M1H是一款基于CoolSiC™技术的1200V碳化硅（SiC）沟槽MOSFET，这款芯片在设计时着重考虑了高效能、高频率和高功率密度的需求。以下是其主要特性和优势的详细解释： 1. **非常低的开关损耗**：这款MOSFET具有极低的开关损耗，这在高频率操作中尤为重要，因为它降低了能量转换过程中不必要的能量损失，从而提高了系统的效率。 2. **无阈值导通状态特性**：这种特性意味着MOSFET在导通时没有特定的阈值电压，使得器件更容易控制和驱动，提高了系统的稳定性和可靠性。 3. **基准栅极阈值电压**：VGS(th) = 4.5V的低栅极阈值电压简化了门驱动电路的设计，降低了驱动电源的复杂性。 4. **0V关断栅极电压**：这一特点使得器件能够简单地通过将栅极电压降至0V来实现关断，降低了驱动难度。 5. **完全可控的dV/dt**：用户可以精确控制电压变化率，以适应不同的系统需求，提高整体性能。 6. **坚固的体二极管**：设计有硬换流的体二极管，可承受高电流冲击，确保在逆变应用中的可靠工作。 7. **温度独立的关断开关损耗**：开关损耗不随温度变化，这意味着在宽温度范围内，器件的性能保持稳定，减少了对散热的依赖。 8. **感测引脚**：专门的感测引脚优化了开关性能，允许更精确地监测和控制电流，进一步提升系统效率。 这些特性为IMZ120R350M1H带来了一系列好处，包括： - **效率提升**：由于低损耗，整个系统的效率得以显著提高。 - **更高频率**：允许在更高的开关频率下工作，减小了设备体积和重量。 - **增加功率密度**：在较小的封装内实现高功率处理，有利于紧凑型设计。 - **减少冷却努力**：由于低损耗，所需的冷却系统可以简化，降低冷却成本。 - **系统复杂度和成本降低**：简化驱动电路，降低了整体系统设计的复杂性和成本。 该芯片适用于多种潜在应用，如： - **能源生成**：包括太阳能串式逆变器和太阳能优化器。 - **工业电源**：例如工业不间断电源（UPS）和工业开关模式电源（SMPS）。 - **基础设施充电**：比如电动汽车充电站。 根据JEDEC的相关测试，IMZ120R350M1H已通过工业应用验证，确保了其在严苛环境下的可靠工作。包装参数如表1所示，包括最大漏源电压（VDS）、最大电流（ID）、最大漏源电阻（RDS(on)）和最大结温（Tvj,max）等关键指标，以及封装标记和引脚定义，例如源极、漏极、栅极和感测引脚的布局。 总结来说，英飞凌的IMZ120R350M1H是一款高性能的碳化硅MOSFET，适合于要求高效率、高功率密度和低损耗的工业应用。其创新的特性和技术规格使得它在现代电力电子领域具有广泛的适用性和竞争力。