IMZ120R030M1H INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IMZ120R030M1H是一款基于CoolSiC™技术的1200V碳化硅沟槽MOSFET，该芯片在提高电力电子系统的效率、频率和功率密度方面具有显著优势。这款器件特别设计用于在严苛的工业环境中工作，满足JEDEC的相关测试标准。 规格书主要特点： 1. 极低的开关损耗：IMZ120R030M1H芯片在切换过程中表现出非常低的损耗，这使得它在高频率操作时能保持高效性能，从而提高整个系统的能效。 2. 零阈值导通特性：该MOSFET的开启状态特征无需阈值电压，简化了设计并降低了驱动复杂性。 3. 标准门限电压：门极阈值电压VGS(th)为4.5V，确保了稳定和一致的控制。 4. 0V关断门极电压：这一特性使关断过程更加简便，降低了对驱动电路的要求。 5. 可完全控制的dv/dt：允许精确控制电压变化率，以适应各种应用需求。 6. 强壮的体二极管：内置的体二极管可承受硬开关操作，增强了系统可靠性。 7. 温度独立的关断开关损耗：无论温度如何变化，关断损耗保持恒定，提高了系统稳定性。 8. 感应引脚：优化了开关性能，通过感应引脚可以更准确地监测和控制电流。 9. 独特的封装：采用PG-TO247-4封装，其中Drainpin（1）、Sourcepin（2）、Gatepin（4）和Sense pin（3）的位置固定，不可互换，以确保正确功能。 潜在应用领域： 1. 能源生成：适用于太阳能串式逆变器和太阳能优化器，提高太阳能系统的效率。 2. 工业电源：包括工业不间断电源（UPS）和工业开关模式电源（SMPS），提升电源系统的可靠性和效率。 3. 基础设施充电：例如电动汽车充电站，利用IMZ120R030M1H的高性能来实现快速且稳定的充电。 产品验证： 英飞凌的IMZ120R030M1H已通过了工业应用的相关JEDEC 47/20/22测试，确保其在各种条件下的稳定性和耐用性。由于其独特的特性和性能，该MOSFET有助于降低冷却成本，减少系统复杂性和总体成本，同时增强电源解决方案的性能和可靠性。