IPB65R190C7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPB65R190C7是一款基于CoolMOS™ C7技术的高压功率MOSFET，专为电源管理及多市场应用设计。CoolMOS™是一种采用超级结（Superjunction）原理的创新技术，由英飞凌科技公司率先开发。该系列MOSFET结合了领先的超级结MOSFET供应商的经验与高级创新，提供快速切换、高效率、低栅极电荷、易于驱动以及卓越的可靠性。 关键特性包括： 1. **增强的MOSFET dv/dt抗扰度**：这使得器件在高速开关过程中能承受更高的电压变化率，提高了系统的稳定性。 2. **最佳的FOM RDS(on)*Eoss和RDS(on)*Qg**：FOM即Figure of Merit，是衡量MOSFET性能的一个重要指标，这里的低值意味着在相同功耗下，IPB65R190C7可实现更好的效率。 3. **同类最佳的RDS(on)/封装比**：这意味着在相同封装下，该器件的导通电阻非常低，从而降低了工作时的功率损耗。 4. **易于使用和驱动**：设计简单，便于集成到各种电路中。 5. **无铅电镀和无卤素封装材料**：符合环保要求，适用于工业级应用，并符合JEDEC的J-STD-020和JESD22标准。 这些特性带来的优势： 1. **提高系统效率**：由于更低的导通电阻和电荷，IPB65R190C7可显著提高整个电源系统的效率。 2. **支持更高频率和更高功率密度解决方案**：更快的开关速度允许在更小的空间内处理更大的功率。 3. **减少冷却需求，节省系统成本和体积**：由于其高效性能，需要的冷却设备可以减少，从而降低系统成本并减小尺寸。 4. **提升系统可靠性**：由于运行温度较低，器件的寿命和系统的稳定性得到增强。 这款MOSFET适用于各种应用，如计算、服务器、电信、不间断电源（UPS）和太阳能系统的功率因数校正（PFC）阶段和硬开关PWM阶段。 在并联使用MOSFET时，通常建议在栅极上使用铁氧体珠或独立的对地回路，以确保良好的并联操作和稳定性。 规格书中还包括关键性能参数，例如最大漏源电压VDS @ Tj,max为700V，最大导通电阻RDS(on),max为190毫欧，典型栅极电荷Qg.typ为23nC，脉冲电感CID,pulse为49A，反向恢复电荷Eoss@400V为2.7微焦耳，以及体二极管的di/dt为55A/μs等。 总体来说，IPB65R190C7是一款高性能、高效率的功率MOSFET，适合对效率和可靠性的要求极高的应用。其独特的设计和优化的特性使其成为电源管理领域中的理想选择。