IPB65R099CFD7A INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPB65R099CFD7A是一款650V CoolMOS CFD7A系列的高性能MOSFET芯片，专为汽车应用设计，并且通过了严格的AEC Q101质量认证。这款器件集成了高速体二极管，适用于功率因数校正（PFC）和共振开关拓扑，如零电压开关（ZVS）相移全桥和LLC转换器。 在技术特性方面，IPB65R099CFD7A拥有以下亮点： 1. 最新的650V汽车级技术，内置高速体二极管，具有超低的反向恢复电荷（Qrr），这使得在切换过程中能量损失减小，提高了效率。 2. 最低的特定导通电阻与栅极电荷乘积（RDS(on)*Qg）以及特定导通电阻与输出电容乘积（RDS(on)*Eoss），这意味着在开关操作中将有更低的损耗，允许更高的开关频率。 3. 100%的雪崩测试，确保了高可靠性和稳健性，适应高达475V的电池电压。 4. 高品质和可靠性，保证了在各种工况下的稳定运行，无论是在轻负载还是满负载条件下，都能实现更高的效率。 5. 体二极管具有快速的电流上升率（diF/dt），达1300A/μs，这在需要快速电流变化的应用中至关重要。 该器件的封装形式为PG-TO263-3，其标记为5A099F7。相关的性能参数包括最大漏源电压VDS为650V，最大导通电阻RDS(on)为99毫欧，典型栅极电荷Qg为53纳库仑，脉冲电感ID,pulse为107A，而输出电容在400V时的Eoss为6.8微焦耳。 IPB65R099CFD7A主要应用于单向和双向直流-直流转换器，以及车载电池充电器的PFC和DC-DC阶段。为了确保生产部分批准过程（PPAP）的顺利进行，英飞凌建议在早期设计阶段分享应用相关的信息，以避免可能的延迟。 IPB65R099CFD7A是英飞凌针对汽车电子领域推出的一款高效、可靠的高压MOSFET，它的特性优化了高电池电压环境下的工作，降低了开关损耗，提升了整体系统效率，是汽车电源管理及电力转换应用的理想选择。