IPW65R099CFD7A INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPW65R099CFD7A是一款650V的CoolMOS CFD7A系列 MOSFET 芯片，专为汽车应用设计，具有集成的快速体二极管。这款芯片在2020年3月发布，其规格书提供了详细的参数和性能指标。 该MOSFET采用PG-TO 247-3封装，具有三个引脚，分别是：源极Pin 3，栅极Pin 1和漏极Pin 2（带有内置体二极管）。体二极管设计使得该器件在反向电压下能提供快速的电流转换，适用于PFC（功率因数校正）和共振开关拓扑，如ZVS相移全桥和LLC谐振转换器。 IPW65R099CFD7A的主要特性包括： 1. 集成的快速体二极管，具有超低的反向恢复电荷（Qrr），这有助于减少在开关过程中的能量损耗。 2. 最优的RDS(on)*Qg和RDS(on)*Eoss指标，意味着在导通电阻和栅极电荷的乘积上达到最低值，从而降低了静态功耗和开关损耗。 3. 通过100%雪崩测试，确保了高耐用性和可靠性。 4. 在SMD和THD封装中提供业界最佳的导通电阻，适用于高电压电池系统，最高可达475V。 5. 改进的鲁棒性允许在更宽的电压范围内工作，同时降低开关损耗，支持更高的开关频率。 6. 在轻负载和满载条件下提高效率。 潜在的应用领域包括： - 单向和双向DC-DC转换器 - 车载电池充电器 该产品已经按照AEC Q101标准进行了验证，确保满足汽车行业的质量与可靠性要求。在进行生产零件批准过程（PPAP）时，英飞凌建议在设计早期阶段分享应用相关的信息，以避免PPAP批准延迟。用户可以参考附录A获取更多信息，如型号代码、封装标记等。 IPW65R099CFD7A是一款高性能的汽车级MOSFET，旨在优化高电压系统的能效和可靠性，尤其适合需要高效能和快速响应的电源转换应用。其独特的设计特点和严格的质量控制，使其成为汽车电子领域的理想选择。