IPW65R230CFD7A INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

IPW65R230CFD7A是一款由英飞凌科技公司（INFINEON）推出的高性能汽车级650V MOSFET芯片，属于CoolMOS CFD7A系列。该芯片在设计上融合了多项先进技术，旨在满足汽车电子行业的高质量和高可靠性标准，同时提供优化的性能指标，适用于各种电力转换应用。 1. 技术特点： - 内置快速体二极管：这款MOSFET集成了超低恢复电荷（Qrr）的快速体二极管，允许在开关过程中实现高效和低损耗的整流。 - 最低FOM（Figure of Merit）：具有极低的RDS(on) * Qg和RDS(on) * Eoss，这代表在导通电阻和栅极电荷之间取得了优秀的平衡，降低了开关过程中的能量损失。 - 100%雪崩测试：确保了芯片在过压条件下的稳定性和耐用性。 - 高品质与可靠性：符合汽车行业的AEC Q101标准，保证了在严苛环境下的可靠工作。 2. 性能参数： - 最大漏源电压（VDS）为650V，可应对高电压应用场景。 - 最大导通电阻（RDS(on)）仅为230毫欧，有助于降低导通损耗。 - 栅极电荷（Qg）典型值为23纳库仑，表明开关速度快，开关损耗低。 - 脉冲电荷（CID）为44A微秒，反映芯片的瞬态响应能力。 - 体二极管的diF/dt高达1300A/微秒，确保快速的电流转换。 - 在400V时的储存电荷（Eoss）为3.0微焦耳，确保轻载和满载条件下的效率提升。 3. 应用场景： - 适用于单向和双向DC-DC转换器。 - 用于车载电池充电器的功率级，特别适合处理高电压电池系统，如电动车或混合动力车的电池管理系统。 - 适应PFC（功率因数校正）和DC-DC阶段的转换拓扑，如ZVS相移全桥和LLC谐振转换器。 4. 包装与标识： - IPW65R230CFD7A采用PG-TO247-3封装，产品标记为65A230F7。 - 有关更多详细信息和相关链接，可在手册的附录A中找到。 为了确保生产零件批准流程（PPAP）的顺利进行，英飞凌建议在设计初期就分享应用相关的信息，以避免可能的延迟。 总而言之，IPW65R230CFD7A是英飞凌为汽车电子市场打造的一款高性能、高可靠性的MOSFET，其低损耗、高效率和优异的开关特性使其成为电源管理领域的理想选择。