IPW65R022CFD7A INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPW65R022CFD7A是一款650V CoolMOS CFD7A系列的功率MOSFET芯片，专为汽车应用设计，并且通过了严格的AEC-Q101质量认证。这款器件集成了高速体二极管，适用于功率因数校正（PFC）和谐振开关拓扑，如零电压开关（ZVS）相移全桥和LLC转换器。 该MOSFET的主要特点包括： 1. **集成高速体二极管**：内建的体二极管具有超低反向恢复电荷（Qrr），这在切换过程中能显著减少损耗，提高效率。 2. **卓越的性能指标**：具备市场最低的导通电阻乘以栅极电荷（RDS(on)*Qg）和导通电阻乘以漏源电容（RDS(on)*Eoss）的综合指标，意味着在开关过程中有更低的功耗。 3. **100%雪崩测试**：确保在极端条件下具备高耐受性，增强了产品的可靠性和稳定性。 4. **最佳导通电阻**：在表面贴装设备（SMD）和穿孔设备（THD）封装中提供同类最佳的RDS(on)，这在各种负载条件下都有助于提高效率，尤其是在轻载和满载时。 5. **优化用于更高电池电压**：由于改进的坚固性，可以支持高达475V的电池电压，适合于未来高电压汽车系统的应用。 6. **降低切换损耗**：允许更高的开关频率，从而减小体积，提高系统性能。 潜在的应用场景包括但不限于： - **单向和双向DC-DC转换器**：用于电源管理，将不同电压等级的直流电源转换为所需电压。 - **车载电池充电器**：在电动汽车和混合动力汽车中用于为电池充电。 IPW65R022CFD7A采用PG-TO247-3封装，标记代码为65A022F7。为了确保生产零件批准流程（PPAP）的顺利进行，英飞凌建议在早期设计阶段分享应用相关的信息，以避免可能的延迟。 关键性能参数包括： - **最大漏源电压（VDS）**：650V - **最大导通电阻（RDS(on),max）**：22毫欧 - **典型栅极电荷（Qg,typ）**：234纳库仑 - **脉冲电荷（CID,pulse）**：495安培秒 - **漏源电容（Eoss @ 400V）**：29.5微焦耳 - **体二极管上升电流斜率（Body diode diF/dt）**：1300A/微秒 这些参数对于评估器件在实际电路中的性能至关重要。设计师可以通过理解这些特性来优化电路设计，以实现高效、可靠的电力转换解决方案。