IPB65R125CFD7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPB65R125CFD7是一款650V CoolMOS CFD7 SJ功率器件，其主要特点是具有超快速体二极管、优秀的开关性能和出色的热行为。这款芯片设计用于在谐振开关拓扑结构中实现最高效率，如LLC和相移全桥（ZVS）应用。它继承了650V CoolMOS CFD2的产品优势，并在开关速度和硬切换耐受性方面进行了改进。 技术特点： 1. **超快体二极管**：IPB65R125CFD7内置的体二极管具有快速恢复特性，能降低反向恢复电流，提高系统的整体效率。 2. **650V击穿电压**：该芯片的额定工作电压为650V，提供额外的安全裕度，适用于高电压应用场景。 3. **最佳级的RDS(on)**：低导通电阻（RDS(on)）使得在满载或轻载条件下都能保持低损耗，从而提升效率。 4. **减少的开关损耗**：优化的开关性能降低了开关过程中产生的能量损失。 5. **温度稳定性**：RDS(on)对温度的依赖性较低，确保在宽温度范围内保持稳定性能。 优点： 1. **优异的硬切换鲁棒性**：芯片能够承受高应力的硬切换操作，增加系统稳定性。 2. **更高的安全裕度**：对于具有更高总线电压的设计，提供了额外的安全空间。 3. **增强功率密度**：支持高功率密度解决方案，适合紧凑型电源设计。 4. **工业应用中的出色轻载效率**：在工业开关模式电源（SMPS）应用中，即使在轻载条件下也能保持高效。 5. **改善的满载效率**：同样在工业SMPS应用中，满载时的效率得到显著提升。 6. **价格竞争力**：相对于之前的CoolMOS系列产品，IPB65R125CFD7具有更好的性价比。 潜在应用： 这款芯片特别适合于软开关拓扑结构，例如优化用于相移全桥（ZVS）和LLC应用，涵盖了服务器、电信、电动汽车充电和太阳能等领域。 产品验证： IPB65R125CFD7已经按照JEDEC工业标准进行全面验证，确保了在各种环境下的可靠性和稳定性。 关键性能参数包括： - **最大漏源电压（VDS @ Tj,max）**：700V - **最大导通电阻（RDS(on),max）**：125mΩ - **典型栅极电荷（Qg,typ）**：36nC - **脉冲电容（CID,pulse）**：72A - **反向恢复能量（Eoss @ 400V）**：5.1µJ - **体二极管的diF/dt**：1300A/µs 封装和订购代码： - **类型/订单代码**：IPB65R125CFD7 - **封装标记**：PG-TO263-3 英飞凌的IPB65R125CFD7是专为高效、高功率密度和高可靠性设计而优化的MOSFET，适用于各种工业和能源相关的软开关应用。其卓越的性能和性价比使其成为650V功率转换领域的理想选择。