BSP129 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的BSP129是一款N沟道耗尽型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于小信号应用。这款芯片在汽车电子领域有广泛应用，因为它符合AEC Q101标准，表明其适用于严苛的汽车环境。以下是关于BSP129的一些关键特性和参数： 1. **主要特性**： - N沟道设计，意味着电流流动时需要栅极电压低于源极电压。 - 耗尽模式，意味着在没有栅极电压时，MOSFET已经导通。 - 高dv/dt评级，能承受快速的电压变化率，这在高速开关应用中很重要。 - 引脚采用无铅电镀，符合RoHS标准。 - 可选配V GS(th)指示器，方便在生产线上识别阈值电压。 2. **最大额定值**： - 连续漏极电流（I_D）在25°C时为0.35A，70°C时为0.28A。 - 脉冲漏极电流（I_D,pulse）在25°C时可高达1.4A。 - 反向二极管的dv/dt能力在特定条件下可达到6kV/μs。 - 栅极源电压（V_GS）的最大值为±20V。 - 最大功率损耗（P_tot）在25°C时为1.8W。 3. **热特性**： - 结-焊点热阻（R_thJS）未提供具体数值，但表示了芯片与焊接点之间的热传输效率。 - 结-壳热阻（R_thJA）在最小散热面积下为1156cm²时，未提供具体数值。 4. **电气特性**： - 漏源击穿电压（V_(BR)DSS）在V_GS=-3V，I_D=250μA时为240V。 - 栅极阈值电压（V_GS(th)）在V_DS=3V，I_D=108μA时为-2.1至-1.4V。 - 漏源截止电流（I_D(off)）在特定条件下非常低，确保在非导通状态下几乎无电流泄漏。 - 漏源开态电阻（R_DS(on)）在不同V_GS和I_D条件下有不同的值，影响了MOSFET的导通电阻。 5. **封装和包装信息**： - BSP129芯片采用PG-SOT223封装，并有多种带卷和卷盘标识，如L6327和H6906等，分别对应不同的包装和分拣方式。 6. **环保标准**： - 符合IEC61249-2-21的卤素免费标准，表明产品不含卤素。 BSP129是一款高性能的小信号MOSFET，适用于需要高dv/dt耐受能力和低R_DS(on)的应用。它的封装设计考虑了可靠性、热管理以及环保因素，使其成为汽车电子和其他工业应用的理想选择。在实际使用中，应确保不超过其额定工作条件，以确保其稳定性和长期可靠性。