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5 场效应管放大电路
5.1 金属 - 氧化物 - 半导体 (MOS) 场效应管
5.2 MOSFET 放大电路
5.3 结型场效应管 (JFET)
5.4 砷化镓金属 - 半导体场效应管
5.5 各种放大器件电路性能比较
2
5 场效应管放大电路
场效应晶体管( FET )是一种电压控制的单极性半
导体器件,它利用电场效应改变内部导电沟道,实
现控制输出电流的目的。它具有体积小、重量轻、
功耗小、寿命长、输入阻抗高、噪声低和制造工艺
简单等优点,因而在电子电路中得到了广泛地应用,
特别是在大规模集成电路和超大规模集成电路中得
到广泛应用。 FET 是 Field Effect Transistor 的
缩写
JFET 是 Junction type Field Effect Transistor 的缩写
MOSFET 是 Metal-Oxide-Semiconductor type Field Ef
fect Transistor 的缩写
3
场效应管的分类(基本结构)
N 沟道
P 沟道
增强型
耗尽型
N 沟道
P 沟道
N 沟道
P 沟道
(耗尽型)
FET
场效应管
JFET
结型
绝缘栅型
MOSFET
4
5.1 金属 - 氧化物 - 半导体 (MOS) 场效应管
5.1.1 N 沟道增强型 MOSFET
5.1.2 N 沟道耗尽型 MOSFET
5.1.3 P 沟道 MOSFET
5.1.4 沟道长度调制效应
5.1.5 MOSFET 的主要参数
5
5.1 金属 - 氧化物 - 半导体 (MOS) 场效应管
金属 - 氧化物 - 半导体场效应管( MOSFET )是利
用半导体表面电场效应进行工作,故又称为表面场
效应器件。
1. MOSFET 的栅极处于绝缘状态,所以其输入电阻可
高达 10
15
。
2. 按照 MOSFET 导电沟道不同,可分为 N 沟道和 P 沟
道两类,其中每一类又可分为增强型 (E) 型 MOSFE
T 和耗尽型 (D 型 ) MOSFET 。当 v
GS
=0 时,没有导
电沟道的称为 E 型。 E 型只有加上一定的 v
GS
才形
成导电沟道,因此称为增强型。当 v
GS
=0 时,存在
着电沟道的称为 D 型。
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