TI-SN74TVC16222A.pdf

《TI-SN74TVC16222A：高性能低电压限制开关》 TI-SN74TVC16222A是一款专为电压限制应用设计的高性能宽总线集成电路，属于德州仪器（Texas Instruments）的Widebus家族成员。这款器件提供23个并行NMOS传递晶体管，其共同门极控制使得在高频率下实现低延迟的信号传递成为可能。 该芯片的主要特性在于其6.5欧姆的导通电阻，这确保了在端口A和B之间的低损耗连接。这种低的导通电阻使得信号在通过开关时的传播延迟达到最小，从而提高了系统性能。同时，SN74TVC16222A采用流经式的引脚布局，简化了印刷电路板（PCB）的迹线布设，有助于优化电路板的设计。 为了适应不同电压等级的应用，SN74TVC16222A可以直接与GTL+电平接口兼容，增加了设计的灵活性。此外，该器件具备出色的静电放电（ESD）保护能力，超过了JESD 22标准的要求，包括2000V的人体模型（A114-A）、200V的机器模型（A115-A）以及1000V的充电设备模型（C101），确保了在实际操作中的可靠性。 在电压限制功能方面，每个传递晶体管的低电压侧由一个参考晶体管设定电压上限。这一设计是为了保护那些输入端对高状态电压过冲敏感的组件。通过将所有晶体管的栅极级联到参考晶体管，可以实现22位开关功能。在数据表中提到的应用信息部分，提供了更多关于如何利用这一特性来防止电压过冲的详细信息。 值得注意的是，由于TVC阵列中所有晶体管具有相同的电气特性，所以任何晶体管都可以作为参考晶体管使用。由于在器件内部，晶体管之间的特性几乎相等，因此最大输出高状态电压（VOH）大约等于参考电压（VREF），各输出之间偏差极小。这是TVC解决方案相对于离散器件的一个显著优势。 由于制造工艺的对称性，每个比特的端口连接可以作为低电压侧，而I/O信号可以通过每个FET实现双向传输。订购信息显示，该芯片提供四种封装选项：SOP-DL、TSSOP-DG、TSSOP-DGG和TVSOP-DGV，分别适用于不同的温度范围和包装需求。 总结来说，TI-SN74TVC16222A是一款高性能、低电压限制的22位开关集成电路，具有低导通电阻、兼容多种电压电平、出色的ESD保护及灵活的封装选择，是设计中保护敏感电路免受电压过冲影响的理想选择。