采用传统射频磁控溅射技术，通过引入SiO2缓冲层以及调节工作气压的方法，在Si衬底上制备具有高度(11-20)择优取向的ZnO薄膜．采用x射线衍射技术和原子力显微镜分析ZnO薄膜的晶体特性和择优取向．研究发现，引入SiO2缓冲层能显著减小ZnO/SiO2/Si三层结构声表面波器件的温度延迟系数(temperature coefficient of delay，TCD)，当SiO2缓冲层厚度为200 nm时，ZnO薄膜同时具有(0002)和(11-20)择优取向，且TCD值仅为2×10-6℃-1左右，说明器
