安森美半导体ESD保护器件CM1248-04QG-D 数据手册.pdf

根据提供的文件信息，知识点可以总结如下： ESD保护器件CM1248-04QG-D 是安森美半导体（onsemi）生产的一种低电容瞬态电压抑制器/静电放电（ESD）保护器件。该器件用于在系统中对输入/输出(I/O)提供保护，特别适用于对瞬态电压和静电放电敏感的电子设备。 知识点： - 安森美半导体是一家专门从事半导体设备研究与制造的厂商，产品涵盖广泛，包括ESD保护器件等。 - 数据手册是详细描述产品特性、参数、使用条件等信息的技术文档，对于工程师和设计师了解产品特性、正确使用产品至关重要。 - CM1248-04QG-D 是安森美半导体ESD保护器件产品型号，通过这个型号可以查找到该器件的技术规格和参数。 知识点： - 在系统ESD保护指的是在电子设备运行过程中，对设备内部电路提供静电放电的保护，防止静电放电造成电路损坏。 - IEC 61000-4-2 是国际上用于检测电子设备抗静电放电能力的标准，CM1248-04QG-D 通过了该标准的测试，证明其在接触放电模式下能够承受±15kV的静电冲击。 知识点： - 综合资料是指包含了设备多种信息的文档，如数据手册等。 【部分内容】知识点： - Low I/O capacitance at 10pF at 0V 指的是该器件在0伏电压下输入/输出电容为10皮法拉，这意味着它对于信号路径的影响极小，适合高速数据传输应用。 - In-system ESD protection to ±15kV contact discharge 指的是该器件在电子设备上可提供高达±15千伏接触放电的ESD保护，有效保护设备免受静电损害。 - Compact SMT packages 指的是该器件采用紧凑的表面贴装技术（Surface Mount Technology, SMT）封装，节省电路板空间，便于在空间受限的应用中布局。 - Each I/O pin can withstand over 1000 ESD strikes 指的是每个输入/输出引脚都能承受超过1000次的静电放电冲击，这表明器件具有很高的耐ESD性能。 详细参数解读： - 器件的绝对最大额定值包括储存温度范围 -65°C 到 +150°C，确保器件在极端温度下也能安全工作。 - 标准工作条件下操作温度范围是 -40°C 至 +85°C，说明器件能在常见的温度环境中正常运作。 - 电气操作特性参数包括通道输入电容 (CIN)，在25°C、0V直流电压和1MHz条件下测试为10pF；差分通道I/O对地电容 (ΔCIN) 在2.5V直流电压和1MHz条件下测试为0.19pF。 - 器件具有逆向隔离电压 (VRSO)，在10µA和1mA的测试条件下，以及正负10mA测试条件下的电压值有所不同。 - 静态泄漏电流 (ILEAK) 在5V直流电压和25°C时小于1µA。 - 小信号钳位电压 (VSIG) 的正负钳位电压也被详细规定。 - 根据IEC 61000-4-2标准，器件的ESD耐受电压 (VESD) 为±15kV接触放电。 - 二极管动态电阻 (RD) 在正向和反向导通时的电阻值也得到了规定。 - 这些参数在-40°C到+85°C的温度范围内都得到保证，部分参数是通过设计和特性化测试保证的。 该ESD保护器件对于设计人员来说是一个重要的选择，特别是考虑到它紧凑的尺寸、低电容和高耐ESD性能，使得其非常适合用于需要ESD保护的高速数据接口和空间限制的应用中。