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Point defect determination by eliminating frequency dispersion i...
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2021-02-20
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In this paper, an improved small-signal equivalent model is introduced to eliminate frequency dispersion phenomenon in capacitance-voltage (C-V) measurement, and a new mathematic method is proposed to calculate the amount of bulk defect existing in the GaN buffer layer. Compared with photoluminescence (PL) and high resolution X-ray diffraction (HRXRD) data, it is identified that the main component of the bulk defect concentration is made up of the point defect concentration, rather than the edge
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