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MMSZ5253BT1G的技术参数
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2020-12-11
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产品型号:MMSZ5253BT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):23.750齐纳击穿电压Vz典型值(V):25齐纳击穿电压Vz最大值(V):26.250@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):35最大功率PMax(W):0.500芯片标识:K3封装/温度(℃):SOD123/-65~150价格/1片(套):¥.40
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MMSZ5253BT1G的技术参数的技术参数
产品型号:MMSZ5253BT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):23.750齐纳击穿电压Vz典型值(V):25齐纳击穿电压Vz最
大值(V):26.250@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):35最大功率PMax(W):0.500芯片标识:K3封装/温度(℃):SOD123/-
65~150价格/1片(套):¥.40
产品型号:MMSZ5253BT1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):23.750
齐纳击穿电压Vz典型值(V):25
齐纳击穿电压Vz最大值(V):26.250
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):35
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:K3
封装/温度(℃):SOD123/-65~150
价格/1片(套):¥.40
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