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MMSZ5241BT1G的技术参数
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2020-12-11
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产品型号:MMSZ5241BT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):10.450齐纳击穿电压Vz典型值(V):11齐纳击穿电压Vz最大值(V):11.550@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):22最大功率PMax(W):0.500芯片标识:H1封装/温度(℃):SOD123/-55~150价格/1片(套):暂无
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MMSZ5241BT1G的技术参数的技术参数
产品型号:MMSZ5241BT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):10.450齐纳击穿电压Vz典型值(V):11齐纳击穿电压Vz最
大值(V):11.550@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):22最大功率PMax(W):0.500芯片标识:H1封装/温度(℃):SOD123/-
55~150价格/1片(套):暂无
产品型号:MMSZ5241BT1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):10.450
齐纳击穿电压Vz典型值(V):11
齐纳击穿电压Vz最大值(V):11.550
@Izt(mA):20
齐纳阻抗Zzt(Ω):22
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:H1
封装/温度(℃):SOD123/-55~150
价格/1片(套):暂无
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