我们所用的膜层材料为SiNO系材料，图1为镀SiN膜所得的实验结果。曲线1为镀膜前外延片的反射谱，曲线2和3 分别对应膜厚为95 nm和135 nm的情形，膜厚度用椭偏仪测出。从曲线1可知，片子的e－lh峰在840 nm，e－hh峰 在848 nm，模式波长的位置在832 nm。对于常通型调制器，模式波长的位置应在e￣hh峰的长波长方向；而常关型 器件，模式波长的位置应在e-hh峰附近，而且顶部必须镀减反膜，否则器件会工作在饱和区，降低器件的调制特 性。由于模式波长位置不合适，先采用镀SiNO减反膜的方法来移动模式波长。
图1 镀SiN膜前后器件的反射谱
由曲线2膜厚95 nm的反射谱
