镀膜的方法虽然也可以移动模式波长，但由于顶部反射率的降低，ASFP腔的谐振吸收作用减弱了，难以制作高对 比度的器件。高对比度的器件一般都是常通型。常通型器件要求模式波长在c－hh峰的长波方向，如果由于生长厚 度的偏差引起模式波长的偏离，必须采用后工艺的方法将模式波长移到合适的位置。图1所示为列阵器件的湿法腐 蚀实验结果，曲线1为器件腐蚀前的反射谱（器件I、2为列阵在空间位置上相隔远的两个器件）。
图1 模式波长在腐蚀控制下的移动
腐蚀前器件1和2的e－lh激子峰都在约840 nm处，e－hh激子峰都在约848 nm处，两个器件的模式波长均在约880 nm处，两个器件的模式波长移动值基
