络合剂存在下电沉积的SnS薄膜的结构和Raman光谱 (2007年)

在络合剂EDTA存在且溶液的pH=2.1，沉积电位E=-1.0V，离子浓度比Sn2+/S2O3=1/4的条件下，通过改变EDTA的浓度，用阴极恒电位电沉积法在ITO导电玻璃基片上沉积SnS薄膜。结合X射线衍射和表面形貌分析，表明它们是具有正交结构的SnS多晶薄膜，且薄膜的颗粒小、致密性和均匀度较好；对其Raman光谱研究也进一步说明了薄膜中的主要成分是SnS。