硒化亚硒化镉（CdS1-xSex）薄膜的可调节带隙特性使其成为适用于各种光电应用的合适材料，这引起了人们的极大兴趣。 在本文中，我们报道了通过化学浴沉积技术成功地在商用载玻片基板上生长的硒化硒化镉（CdS1-xSex）薄膜的研究。 研究了硒含量（x值）对结构的影响以及一些光学性质。 浴液中含有乙酸镉脱水物[Cd（CH3COO）2·2H2O]，硒代硫酸钠[Na2SeSO3]和硫脲[CS（NH2）2]分别用作Cd2 +，Se2 +和S2 +的来源。 酒石酸（C4H6O6）用作络合剂。 通过逐滴添加氨将溶液的pH调节至12。 浴温度在90℃下保持1小时的沉积时间。 薄膜的沉积后退火过程在400℃的炉中进行两个小时。 沉积膜和退火膜都通过粉末X射线衍射，扫描电子显微镜，紫外可见光吸收光谱和能量色散X射线分析来表征。 光吸收数据分析表明，直接允许的转变发生在薄膜中。 随着硒含量的增加，沉积后的CdS1-xSex的带隙从2.34 eV线性降低至1.48 eV，在退火样品中，其带隙从1.84 eV降低至1.36 eV。 X射线衍射测量表明，纯CdS和CdSe具有混合的六方晶和立方晶相。 所有其余的三
