通过热氧化形成锗MOS器件的超薄GeOx界面修复剂

为了形成更好的界面质量，已经提出了一种采用Al2O3薄膜作为氧阻挡层的热氧化方法来形成GeOx超薄界面修复剂的方法。同样，薄的Al2O3层在抑制热处理过程中也能很好地抑制GeO从GeOx / Ge界面脱附。用工程Al2O3 / GeOx / Ge栅叠层制造的MOS电容器和MOSFET具有良好的电气特性。