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以TiH2、AIN粉为原料,采用等离子体活化烧结技术制备出单相Ti2AlN块体材料.通过对烧结过程中不同反应温度下产物的物相分析及显微结构观察,研究了Ti2AlN的形成过程.结果表明:在700℃以下,TiH2完成脱氢过程;当温度超过700℃后,AlN向脱氢后的Ti粉中扩散,并先后出现Ti3A1、TiN、Ti3AlN及TiAl等中间相;随着反应不断进行,中间相逐渐向Ti2AlN相转变,从而在1200℃下保温5min获得了具有明显片层结构的单相Ti2AlN陶瓷.对此单相Ti2A1N陶瓷进行了压痕行为研究,结果
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weixin_38723373
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