采用DOE（Design of Experiment）试验方法进行了CMOS晶体管工艺流片的分卡操作，研究18个样品的Vt区注入Dvt、N场注入DNF、TEMP注入DP这3种注入剂量变化的情形下阈值电压Vtn和Vtp的调控优化值。通过最大跨导法测试阈值电压Vtn和Vtp，考查3种注入剂量对Vtn和Vtp的影响趋势，发现Dvt和DNF直接决定Vtn, Dvt和DP直接决定Vtp。结果表明，Vtn为0.082 V~0.600 V，关系式为Vtn = 0.15791Dvt + 0.12320DNF+ 0.114
