基于变插入层介电常数的多层绝缘结构能改善电场分布、提高真空沿面闪络特性．通过真空热压烧结制备了TiO2／Al2O3-Al2O3-TiO2／Al2O3(A-B-A)3层绝缘结构，A层w(TiO2)为0．5％到20％．测量了该绝缘结构的真空沿面闪络特性，发现闪络特性随W(TiO2)的增加而提高，当叫(TiO2)为20％时，其脉冲初次闪络电压较同等厚度的Al2O3陶瓷提高了63％．研究发现：A层的介电常数可由w(TiO2)调控，介电常数的增大能有效降低真空-绝缘子-阴极三结合点处的电场强度；A层表面存在的TiO
