基于BOE硅腐蚀现象的硅纳米线制作* (2007年)

介绍一种硅纳米线制作方法．在SOI顶层硅上制作硅纳米梁，通过离子注入形成pnp结构，利用新发现的没有特殊光照时BOE溶液腐蚀pn结n型区域现象，结合BOE溶液氧化硅腐蚀，实现硅纳米线制作．制作完全采用传统MEMS工艺，具有工艺简单，成本低，可控，可靠性好，可批量制作等优点．利用该方法制作出了厚50 nm，宽100 nm的单晶硅纳米线，制作的纳米线可用于一维纳米结构电学性能研究、谐振器研究等．