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Intersil发布两款模拟开关 为便携式设备节省空间
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2020-11-29
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Intersil公司新推低压双重ISL5405和四重ISL54056单刀双掷(SPDT)模拟开关。这些开关提供了超低的、更平坦的导通电阻,从而提高了电池供电的、便携式和手持式设备的信号质量。 这些器件均采用微型μTQFN封装;跟TDFN和TQFN封装相比,节省了72%的板空间;并为在手机应用中实现更宝贵的特性提供了更多空间。ISL54050/56的厚度为0.5mm,比采用TDFN和TQFN封装的产品薄33%左右,其电源电流很低,并且可以利用低逻辑控制信号来降低电池泄漏和延长通话时间,同时还能消除串扰。 Intersil公司开关、多路复用器和ATE产品部市场经理Chris Ludeman
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Intersil发布两款模拟开关发布两款模拟开关 为便携式设备节省空间为便携式设备节省空间
Intersil公司新推低压双重ISL5405和四重ISL54056单刀双掷(SPDT)模拟开关。这些开关提供了超低的、更平坦
的导通电阻,从而提高了电池供电的、便携式和手持式设备的信号质量。 这些器件均采用微型μTQFN封
装;跟TDFN和TQFN封装相比,节省了72%的板空间;并为在手机应用中实现更宝贵的特性提供了更多空间。
ISL54050/56的厚度为0.5mm,比采用TDFN和TQFN封装的产品薄33%左右,其电源电流很低,并且可以利用
低逻辑控制信号来降低电池泄漏和延长通话时间,同时还能消除串扰。 Intersil公司开关、多路复用器和
ATE产品部市场经理Chris Ludeman
Intersil公司新推低压双重ISL5405和四重ISL54056单刀双掷(SPDT)模拟开关。这些开关提供了超低的、更平坦的导通电
阻,从而提高了电池供电的、便携式和手持式设备的信号质量。
这些器件均采用微型μTQFN封装;跟TDFN和TQFN封装相比,节省了72%的板空间;并为在手机应用中实现更宝贵的特
性提供了更多空间。ISL54050/56的厚度为0.5mm,比采用TDFN和TQFN封装的产品薄33%左右,其电源电流很低,并且可
以利用低逻辑控制信号来降低电池泄漏和延长通话时间,同时还能消除串扰。
Intersil公司开关、多路复用器和ATE产品部市场经理Chris Ludeman说:“ISL54050/56的封装更薄,这样就节省了板上的
垂直空间,从而让设计者能够更灵活地将电路板进行背靠背放置,或者采用其它节省空间的配置。这些器件可以保持很低的信
号损耗和失真,从而为手机的MP3特性提供了清洁信号,并能够直接使用锂离子电池来增大铃音。它们还能经受得住高
ESD(静电放电)水平,并且提高了终端产品的可靠性。”
空间节省和低失真特性
ISL54050是双重低压单刀双掷模拟开关,而ISL5405是四重低压单刀双掷模拟开关。它们都是双向开关,还可以分别用作
单和双差分2:1多路复用器。
当由3.3V电源供电时,ISL54050的典型导通电阻为0.27 Ohms,ISL54056的典型导通电阻为0.45 Ohms,而电阻平坦度
分别为0.03 Ohms和0.05 Ohms,从而为用于低失真音频通道(如手机和CD音频器件内的MP3播放器)提供了极低的总谐波失真
(THD)。
跟那些交错传导电流很大的竞争器件不同,当利用电压比器件电源电压低的逻辑控制信号进行控制时,ISL54050/56 具有
很低的供电电流。
主要特性:
无铅(符合RoHS的要求)
是Intersil采用TDFN和TQFN封装的ISL8484与ISL8499双重及四重开关器件的升级版本,并且还缩小了尺寸
导通电阻(RON)
V+ = +4.3V 0.29 Ohms
V+ = +3.0V 0.33 Ohms
V+ = +1.8V 0.55 Ohms
通道之间的 RON 匹配:0.06 Ohms
整个信号范围内的 RON 平坦度:0.03 Ohms(ISL54050)和 0.05 Ohms(ISL54056)
单电源供电:+1.65V ~ +4.5V
低功耗(PD)<0.45μW
快速开关动作(V+ = +4.3V)
tON 40ns
tOFF 20ns
ESD HBM 的额定值 >8kV
先开后合功能
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