氮化铝薄膜的原子层淀积制备及应用 (2009年)

以三甲基铝（TMA）和氨气（NH3）为源，在原子层淀积设备上实现了氮化铝薄膜的制备。通过扫描电子显微镜、x射线能谱仪和原子力显微镜对氮化铝薄膜的生长速率、成分和粗糙度进行了分析。优化了薄膜淀积工艺。以每周期单分子层的生长模式进行氮化铝薄膜淀积，淀积速率为每周期0.205nm，厚度为61nm的薄膜粗糙度为0.69nm。利用原子层淀积氮化铝薄膜的保型性，通过nm级薄膜厚度的控制，制备了复杂的环形光子晶体器件，其工艺精度高达50nm。