采用自适应死区时间和切相方法且极具吸引力的电源拓扑-电路方案

描述 交错连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 采用高带隙 GaN 器件，由于具有电源效率高和尺寸减小的特点，因此是极具吸引力的电源拓扑。此设计说明了使用 C2000:trade_mark: MCU 和 LMG3410 GaN FET 模块来控制此功率级的方法。为了提高效率，此设计采用了自适应死区时间和切相方法。非线性电压补偿器旨在减少瞬态期间的过冲和下冲。此设计选择基于软件锁相环 (SPLL) 的方案来精确地驱动图腾柱电桥。用于此设计的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。 特性 在高压线路上具有交流输入 (90-230Vrms)、50-60Hz 和 3.3KW 额定功率 峰值效率为 98.75% 且总谐波失真 (THD) 小于 2% 提供 powerSUITE 支持，以使设计轻松适应用户要求 内置频率响应分析器 (SFRA) 以便验证并设计控制环路 低过零失真 说明了自适应死区时间、切相和非线性电压补偿器的实现方式 功率级控制可以在 C28x CPU 或并行 CLA 上运行