采用同步辐射源X射线衍射技术原位观测VLSI铝互连线的应力 (2005年)

为研究VLSI金属互连线的应力导致IC器件失效的问题，采用同步辐射源X射线衍射技术，原位测试了VLSI中AI互连线在电迁徙及加热条件下的应力变化。沉积态的AI互连线在室温下为拉应力。退火过程使拉应力逐渐减小，在300～350℃过程中由拉应力转为压应力。在电流密度为（3×105～4×106）A/cm2，275min的电徙动实验过程中，AI互连线阳极端由拉应力转变为压应力，并随后随着电流密度的增加而增加。此外，采用扫描电镜（SEM）观察了AI互连线的电迁徙失效特征及应力释放过程。