采用离子束辅助沉积法(IBAD)在单晶硅片上制备了Ti-Si-N纳米复合薄膜，研究了轰击能量大小对Ti-Si- N纳米复合薄膜生长及力学性能的影响，同时探讨了轰击能量对Ti-Si-N纳米复合薄膜的生长机理的影响。通过原子力显微镜(AFM)、纳米压入仪、光电子能谱(XPS)和X射线衍射分析(XRD)等现代分析技术，对Ti-Si-N纳米复合薄膜的晶粒大小、力学性能、成分与相结构进行综合表征分析。试验结果表明：当轰击能量为700 eV时，Ti-Si-N薄膜晶粒直径达到了最小值11 nm，此时Ti-Si-N薄膜的
