偏压对磁控溅射Cr-N薄膜组织及性能影响 (2010年)

采用磁控溅射离子镀制备Cr-N薄膜,研究基体偏压对Cr-N薄膜组织结构和性能的影响。分别用辉光放电光电子谱(GDOES)、场发射扫描电镜(FESEM)和X射线衍射(XRD)分析薄膜成分和组织结构,显微硬度计测量薄膜硬度。结果表明,薄膜为非化学计量比的Cr-N薄膜,N/Cr原子比均小于0.25,薄膜主要以Cr的衍射峰为主。在偏压达到60V后薄膜显示了较高的硬度(>25GPa),其归因于离子轰击导致的薄膜的致密度的提高。偏压超过60V后,致密度达到饱和,硬度增加不明显。