化学有序AlxGa1-xN合金的第一性原理研究 (2011年)

基于第一性原理方法系统研究了化学有序结构Alxca1-xN合金的结构特征和电子性质。结果表明：随着组分x的增大，化学有序结构AlxGa1-xN合金的晶格常数逐渐减小，而结构稳定性变强。计算的电子结构揭示：化学有序结构A1xGa1-xN合金是直接带隙半导体，其带隙随着x的增大而变宽。化学有序化对带隙变化的影响可能源于量子阱的局域化，且化学有序结构AlxCa1-xN的化学键是包含明显离子特性的共价键。