FOD3184是一款输出电流为3A的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器产品。FOD3184由铝砷化镓(AIGaAs)发光二极管和集成在电路功率级中带有PMOS和 NMOS输出功率晶体管的CMOS检测器以光学方式耦合构成，PMOS上拉晶体管具有低 RDS(ON)，能够降低内部功耗和提供接近轨对轨输出电压摆幅能力。该器件具有高抗噪能力，最低共模噪声抑制比(CMR)为35kV/?s，适合嘈杂的工业应用。
FOD3184采用8脚双列直插封装，提供>8.0mm的爬电距离(creepage)和电气间隙，可配合安全机构至关重要的终端应用要求。此外，封装符合无铅焊接标准对260uC回流焊工艺的要
