纤锌矿型GaN电子迁移率的计算 (2005年)

考虑了对纤锌矿型氮化镓低场电子输运影响最为显著的4种散射机制--电离杂质散射，极化光学波散射，声学波压电散射和声学声子形变势散射的单个平均动量驰豫时间，采用Mattiessens rule计算了不同补偿率以及不同载流子浓度条件下，氮化镓电子漂移迁移率，霍耳因子以及霍耳迁移率随温度的变化。计算表明，温度小于200K时总霍耳因子随温度的增加而增加，200K时达到峰值1.22，温度大于200K后霍耳因子则随着温度的增大而减小。此外，在包括室温在内的较高温度下，极化光学波散射对电子迁移率的变化起决定作用。温度较低