纤锌矿GaN / AlGaN量子阱中的势垒宽度和内置电场对氢杂质的影响

基于有效质量近似，通过变分方法研究了栅栏宽度和内建电场对纤锌矿（WZ）GaN / AlGaN量子阱（QW）中氢杂质的施主结合能的影响。 数值结果表明，随着WZ GaN / AlGaN QW势垒宽度的增加，阱层内部的内置电场强度增加，然后保持恒定。 而且，对于任何杂质情况，在具有较大势垒宽度的QW中，供体结合能对势垒宽度的变化都不敏感。 另外，还可以发现，当Al组成增加时，对于位于QW的右侧内部的杂质，施主结合能增加。 但是，对于位于QW中心和左侧的杂质，供体的结合能会略有下降。

Property comparison of polarons in zinc-blende and wurtzite GaN/AlN quantum wells

闪锌矿和纤锌矿GaN/AlN量子阱中极化子性质的比较，朱俊，班士良，本文详细比较闪锌矿和纤锌矿GaN/AlN量子阱中Fr?hlich电声子相互作用哈密顿量及极化子性质。采用LLP变分方法计算由界面、局域和半空间声

纤锌矿InGaN / GaN量子阱中的激子光学吸收

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纤锌矿型GaN / ZnO量子阱中传播声子的色散和电子-声子相互作用

基于介电连续模型和劳登晶体模型，采用确定法研究了传播的光子和电子-声子的相互作用。 研究了纤锌矿GaN / ZnO单量子阱（QW）的传播光子的色散和电子-声子耦合函数。 数值结果表明，在两个区域中存在数量为m的无限传播声子分支。 传播的光子在减小m时具有更大的色散。 此外，电子-声子耦合函数在势垒层（GaN）中具有振荡行为，低频区域中的电子-声子耦合函数的周期大于高频区域中的周期。 低频区域中传播的声子模式的电子-声子耦合功能比高频区域中的电子-声子耦合功能更为重要。

纤锌矿InGaN / GaN量子阱中有限势垒宽度对激子态和光学性能的影响

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三元混合晶体和尺寸对纤锌矿InGaN / GaN核-壳纳米线中子带间光吸收的影响

三元混合晶体和尺寸对纤锌矿InGaN / GaN核-壳纳米线中子带间光吸收的影响

内建电场作用下纤锌矿ZnO/Mg

用改进的Lee-Low-Pines (LLP) 变分理论讨论了纤锌矿结构的ZnO/MgxZn1-xO量子阱体系中内建电场对束缚极化子结合能和极化子能移的影响，数值研究了基态能量和结合能、不同支光学声子对能量和结合能的贡献随Mg组分x变化的规律。计算中计入了体系的介电常数、电子的带有效质量和不同支光学声子频率等参数的各向异性，并同时考虑了长波光学声子与电子和杂质中心的相互作用。结果显示，该体系中，内建电场对结合能和极化子能移的影响显著，并且不同支光学声子对能量和结合能的贡献受内建电场的影响程度有所不同。内建电场增大了声子对能量的总贡献，而降低了声子对结合能的总贡献。在内建电场作用下，能量和结合能随x增大而急剧减小，而没有内建电场时，变化相对缓慢。计算结果还说明，组分x变大时，无论是否考虑内建电场，界面和定域声子对能量和结合能的贡献变大，半空间声子贡献变小，声子对能量的总贡献变大。而声子对结合能的总贡献则要视是否考虑内建电场而不同：有内建电场时变大，无内建电场时变小。同闪锌矿结构的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱相比，纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱体系中光学声子对极化子能量和结

尺寸和三元混合晶体对纤锌矿ZnO / MgxZn1-xO量子阱中带间吸收的影响

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块纤锌矿GaN中载流子输运的高场特性：蒙特卡洛观点

利用整体蒙特卡洛[EMC]方法，给出了高电场域大块纤锌矿相GaN中电子和空穴的输运性质。 在我们的EMC仿真中，由于缺乏实验数据而很少进行碰撞电离过程的研究。 冲击电离被视为一种附加的散射机制，冲击电离速率由Keldysh公式描述，公式中的参数通过将模拟结果与数值计算结果拟合来确定。 与之前对高载流子中GaN中载流子传输特性的研究相比，这种处理方法使得通过EMC方法方便地模拟电子或空穴引发的碰撞电离。 介绍并分析了在高达1 MV / cm的施加电场下载流子的稳态特性。 特别是，这里的碰撞电离过程需要进一步研究，并进行详细讨论。 发现可以通过两个简单的经验方程描述电子和空穴对施加电场的冲击电离系数。 此外，据我们所知，我们首次获得纤锌矿GaN中电子碰撞电离系数与空穴碰撞电离系数的比率，并发现它可以小于InP中的电子碰撞电离系数，这意味着纤锌矿GaN根据目前的噪声理论，可以具有良好的增益噪声行为。

闪锌矿、纤锌矿及尖晶石结构Cu-In-S纳米晶的选择合成

闪锌矿、纤锌矿及尖晶石结构Cu-In-S纳米晶的选择合成，雷水金，汪春英，I-III-VI族多元硫属化合物是目前研究最广泛的功能半导体材料之一，其中，Cu-In-S化合物由于其在高效太阳能电池中的巨大应用潜力而备受

Electron mobility in strained wurtzite AlGaN/GaN heterojunctions with finite-thick barriers and its pressure effect

有限厚垒应变纤锌矿AlGaN/GaN异质结中的电子迁移率及其压力效应，武维，班士良，基于力平衡方程，考虑界面和半空间模光学声子对电子的散射，讨论室温及高于室温下，有限厚垒应变纤锌矿氮化物AlGaN/GaN异质结中的电

纤锌矿AlN/AlxGa1-xN/AlN量子阱中界面光学声子对电子迁移率的影响

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铜基底上纤锌矿结构CuInS2空心球的制备

铜基底上纤锌矿结构CuInS2空心球的制备，雷水金，汪春英，I-III-VI2族化合物作为重要的半导体材料一直以来备受关注，而纤锌矿结构CuInS2由于其亚稳相态成为研究的热点。本文以铜片为基底，以Cu(

Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究

基于第一性原理的密度泛函理论,用广义梯度近似方法(GGA)计算了Mg掺杂纤锌矿GaN的电子结构和光学性质,分析了能带结构与电子态密度以及掺杂前后GaN体系的介电函数与能带结构之间的关系。计算结果表明掺有Mg的GaN晶体的晶格常数及禁带宽度增加,并在价带顶引入受主能级,通过对比分析掺杂前后GaN晶体的介电函数和光学吸收谱,解释了体系的发光机理,为GaN材料光电性能的进一步开发与应用提供了理论依据。

基于温和溶液的低温合成纤锌矿型CuInS2纳米板的方法

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论文研究 - 纤锌矿氧化铍（w-BeO）的准确电子，输运及相关特性

我们报告了对纤锌矿型氧化铍（w-BeO）的电子及相关特性的从头算，自洽密度函数理论（DFT）计算的详细信息。 我们的计算是使用局部密度近似（LDA）势和原子轨道（LCAO）形式主义的线性组合进行的。 与BeO以前的DFT研究不同，Bakayoko，Zhao和Williams（BZW）方法的实施，以及Ekuma和Franklin（BZW-EF）的研究得到了加强，从而确保了我们计算结果的全部物理内容。根据DFT的推导。 我们介绍了计算出的带隙，状态的总和部分密度以及有效质量。 通过在室温下使用a = 2.6979Å和c = 4.3772Å的实验晶格常数可以达到我们的10.30 eV的直接带隙，非常符合10.28 eV和10.3 eV的实验值。 根据我们计算的部分状态密度，高价带中O和Be p状态的杂交与相应的实验结果相符。

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