利用微芯片制备技术制备了带有电极的原位电学薄膜芯片, 并结合自制的原位透射电镜样品台, 实现了低温下透射电子显微镜聚焦电子束对InAs纳米线的精细刻蚀以及不同温度下的原位电学性能测量. 研究发现,随着刻蚀区域截面积的减小,纳米线的电导率也随之减小. 当纳米线的截面积从大于10000 nm2刻蚀至约800 nm2时, 纳米线电导的减小速率与截面积的减小具有线性关系. 同时利用低温聚焦电子束刻蚀, 在InAs纳米线上原位制备了一个10 nm的纳米点,并在77与300 K下对该纳米点进行了电学性能测量. 通过测