深亚微米CMOS电路多电源全芯片ESD技术研究* (2012年)

深亚微米CMOS电路具有器件特征尺寸小、复杂度高、面积大、数模混合等特点，电路全芯片ESD设计已经成为设计师面临的一个新的挑战。多电源CMOS电路全芯片ESD技术研究依据工艺、器件、电路三个层次进行，对芯片ESD设计关键点进行详细分析，制定了全芯片ESD设计方案与系统架构，该方案采用SMIC0.35 μm 2P4M Polycide混合信号CMOS工艺流片验证，结果为电路HBM ESD等级达到4 500 V，表明该全芯片ESD方案具有良好的ESD防护能力。