在Richard S.Crandall 和Porponth Sichanugrst 等人工作的基础上，用平均场区域近似（UFRA）方法，对p-i-n a-Si：H薄膜太阳电池进行了解析分析，得出了电池性能参数与本征层光学带隙Eg、电子迁移率μn的关系。开路电压Voc、短路电流Jsc、电池效率η随Eg的增大而急剧减小，而填充因子Ff随Eg的增大而缓慢减小。Voc，Jsc，η，Ff都随 μn 的增大而增大，η变化最大，其次是Ff。计算结果还表明，μn的提高虽然能够提高 Voc 和JSC，但主要是通过提高Ff来
