ST率先推出SO8N封装的8Mbit和16Mbit串行代码存储闪存
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2020-12-06
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ST率先推出率先推出SO8N封装的封装的8Mbit和和16Mbit串行代码存储闪存串行代码存储闪存
世界最大的串行闪存供应商意法半导体（纽约证券交易所：STM）推出高速8-Mbit和16-Mbit串行闪存，新产品
采用市场上同类产品中最小的封装：SO8N。ST是市场上第一个推出这些封装闪存的制造商，新产品尺寸紧
凑，成本低廉，适合各种对成本有较高要求的计算机及消费电子产品的代码存储应用，如打印机、光驱、无线
局域网 (WLAN)模块以及机顶盒(STB)。 M25P80和M25P16是8-Mbit (1M x 8)和16-Mbit (2M x 8)串行闪
存，具有先进的写保护机制，支持速度高达50MHz的SPI兼容总线的存取操作，能够把程序快速加载到设备的
RAM内存中。用一条四线高速串行接口替代并
世界最大的串行闪存供应商意法半导体（纽约证券交易所：STM）推出高速8-Mbit和16-Mbit串行闪存，新产品采用市场
上同类产品中最小的封装：SO8N。ST是市场上第一个推出这些封装闪存的制造商，新产品尺寸紧凑，成本低廉，适合各种对
成本有较高要求的计算机及消费电子产品的代码存储应用，如打印机、光驱、无线局域网 (WLAN)模块以及机顶盒(STB)。
M25P80和M25P16是8-Mbit (1M x 8)和16-Mbit (2M x 8)串行闪存，具有先进的写保护机制，支持速度高达50MHz的SPI
兼容总线的存取操作，能够把程序快速加载到设备的RAM内存中。用一条四线高速串行接口替代并行存储器接口，这种设计
可以使用更小的封装，需要的引脚的数量较少，从而实现了节省成本和电路板空间的目的。此外，系统CPU或ASIC的引脚数
量也相应地被减少。
采用0.11纳米制造技术，ST的设计在150mm宽的SO8封装的裸片上实现了高达16Mbit的存储容量。新产品还有其它型号
的封装，包括 5 x 6mm MLP8。M25P16还有一款208mm宽的SO8W封装。全部都是无铅封装，并达到了RoHS法令的规定。
ST拥有各种不同系列的串行闪存产品，新的8Mbit和16-Mbit芯片增加了其重要的核心产品的范围，使产品的存储密度从512-
Kbit一直扩展到128-Mbi。
这两款新闪存IC的工作电压范围2.7V到3.6V, 工作温度范围-40到+85摄氏度。软件功能包括整体擦除和扇区擦除、灵活的
页编程指令和写保护，JEDEC标准两字节电子签名简化了设备身份验证，同时向后兼容一字节电子签名。数据保存期限20
年，每个扇区可承受100,000次擦写循环。
M25P80和M25P16的样品现已上市销售，预计2006年第四季度开始量产，批量订货单价分别为0.95 美元(M25P80)和
1.20美元 (M25P16)。
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