意法半导体率先推出SO8N封装的8Mbit和16Mbit串行代码存储闪存
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2020-11-26
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意法半导体率先推出意法半导体率先推出SO8N封装的封装的8Mbit和和16Mbit串行代码存储串行代码存储
闪存闪存
世界最大的串行闪存供应商意法半导体日前推出高速8-Mbit和16-Mbit串行闪存，新产品采用市场上同类产品中
最小的封装：SO8N。ST是市场上第一个推出这些封装闪存的制造商，新产品尺寸紧凑，成本低廉，适合各种
对成本有较高要求的计算机及消费电子产品的代码存储应用，如打印机、光驱、无线局域网 (WLAN)模块以及机
顶盒(STB)。 M25P80和M25P16是8-Mbit (1M x 8)和16-Mbit (2M x 8)串行闪存，具有先进的写保护机制，
支持速度高达50MHz的SPI兼容总线的存取操作，能够把程序快速加载到设备的RAM内存中。用一条四线高速
串行接口替代并行存储器接口，
世界最大的串行闪存供应商意法半导体日前推出高速8-Mbit和16-Mbit串行闪存，新产品采用市场上同类产品中最小的封
装：SO8N。ST是市场上第一个推出这些封装闪存的制造商，新产品尺寸紧凑，成本低廉，适合各种对成本有较高要求的计算
机及消费电子产品的代码存储应用，如打印机、光驱、无线局域网 (WLAN)模块以及机顶盒(STB)。
M25P80和M25P16是8-Mbit (1M x 8)和16-Mbit (2M x 8)串行闪存，具有先进的写保护机制，支持速度高达50MHz的SPI
兼容总线的存取操作，能够把程序快速加载到设备的RAM内存中。用一条四线高速串行接口替代并行存储器接口，这种设计
可以使用更小的封装，需要的引脚的数量较少，从而实现了节省成本和电路板空间的目的。此外，系统CPU或ASIC的引脚数
量也相应地被减少。
采用0.11纳米制造技术，ST的设计在150mm宽的SO8封装的裸片上实现了高达16Mbit的存储容量。新产品还有其它型号
的封装，包括 5 x 6mm MLP8。M25P16还有一款208mm宽的SO8W封装。全部都是无铅封装，并达到了RoHs法令的规定。
ST拥有各种不同系列的串行闪存产品，新的8Mbit和16-Mbit芯片增加了其重要的核心产品的范围，使产品的存储密度从512-
Kbit一直扩展到128-Mbi。
这两款新闪存IC的工作电压范围2.7V到3.6V, 工作温度范围-40到+85摄氏度。软件功能包括整体擦除和扇区擦除、灵活的
页编程指令和写保护，JEDEC标准两字节电子签名简化了设备身份验证，同时向后兼容一字节电子签名。数据保存期限20
年，每个扇区可承受100,000次擦写循环。
M25P80和M25P16的样品现已上市销售，批量订货单价分别为0.95 美元(M25P80)和1.20美元 (M25P16)。
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