以ZnCl2、InCl3・4H2O和(NH2)2CS为原料，采用喷雾热分解方法在ITO玻璃上制备了高质量的ZnIn2S4薄膜，使用X射线衍射仪、扫描电镜和分光光度计对制备的薄膜进行了结构、形貌和光学性质的表征，利用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对制备的立方相ZnIn2S4进行了能带结构计算，并采用锁相放大技术研究了ZnIn2S4电极的光电流作用谱图。结果表明：使用喷雾热分解方法能够制备结晶完好、无针孔的ZnIn2S4薄膜，制得的薄膜呈立方相，在可见光区(λ>420nm)有很好的光吸收；薄膜为间接带隙半导
