退火对尼龙1010中链段运动以及电荷陷阱和去陷阱的影响

通过热激发去极化电流（TSDC）研究了尼龙1010薄膜的链段运动以及电荷的俘获和去俘获。 室温以上的实验TSDC光谱中存在三个电流峰（分别命名为alpha，rho 1和rho 2峰）。 α峰归因于链段运动和空间电荷贡献的背景偶极弛豫，rho 1峰起源于捕获在主体非晶区中的空间电荷以及晶体和非晶区之间的中间相，rho 2峰源自晶体区域中捕获的空间电荷。 通过分析这些峰的特征参数，发现随着结晶度的增加，一个峰的活化能从1.12 eV增加到1.22 eV，rho 2峰的俘获深度从2.70 eV增加到2.82 eV，而rho 1峰的陷阱深度从1.50 eV降低到1.29 eV。 退火导致链段迁移率降低，并促进了尼龙1010中陷阱的产生。退火还降低了整体非晶态和相间区域中捕获电荷的稳定性，并增加了结晶区域中捕获电荷的稳定性。