针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程，同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应，如漏致势垒降低(DIBL)效应、短沟道效应(SCE)和速度过冲效应，获得了强反型时小尺寸P+多晶SiGe栅应变Si pMOSFET的阈值电压模型和I-V特性模型。运用Matlab对模型进行计算，获得阈值电压随多晶SiGe栅Ge组分、栅长、氧化层厚度、弛豫SiGe虚拟衬底Ge组分、掺杂浓度以及漏源偏压的变化规律，I-V特性计算结果表明MOS器件采用Si基应变技术将有更高的输出特性。用器件仿真软件ISETCAD对模型结
